Untersuchung von Galliumnitrid-Transistoren für den Einsatz in der Antriebstechnik

Die aktuellen Trends bei elektrischen Antriebssystemen, wie Integration, Miniaturisierung und Senkung des Energieverbrauchs, stellen immer höhere Anforderungen an die Leistungsdichte und den Wirkungsgrad des Antriebsumrichters. Mit der konventionellen Silizium-Technologie wird es jedoch zunehmend schwieriger, den steigenden Erwartungen gerecht zu werden. Der Einsatz von effizienteren Leistungshalbleiterbauelementen basierend auf neuen Halbleitermaterialien, wie Galliumnitrid (GaN), bietet hierbei eine vielversprechende Alternative. Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich daher mit der Untersuchung von neuartigen GaN-Transistoren und deren Anwendung in der Antriebstechnik.