Sublimationswachstum von 3C-SiC Einkristallen auf freistehenden 3C-SiC Keimschichten

Das Sublimationswachstum von kubischem Siliziumkarbid (3C-SiC) gilt als vielversprechender Ansatz zur technologischen Weiterentwicklung des Materialsystems. Eine technische Verwendung von 3C-SiC wird aktuell hauptsächlich durch hohe Defektdichten und eine geringe Materialverfügbarkeit verhindert. Im Rahmen dieser Arbeit wurde ein Keimpräparationsverfahren entwickelt, dass konzeptionell eine Skalierung hin zu größeren Durchmessern und höheren Schichtdicken von 3C-SiC Einkristallen ermöglicht. Dazu werden freistehende 3C-SiC Keimschichten mit einer Rückseitenbeschichtung versehen. In der vorliegenden Arbeit werden die grundlegenden Methoden, Potentiale und Limitierungen dieses Ansatzes für das Sublimationswachstum von 3C-SiC beschrieben. Außerdem erfolgt die Beschreibung grundlegender Mechanismen für die Reduzierung von Protrusion-Defekten durch Überwachsen und für den Einbau von Punktdefekten.