Optoelectronic Properties of GaN Nanostructures and Novel II-III Oxynitrides Grown by Molecular Beam Epitaxy

Die Photolumineszenz von GaN-Nanodrähten zeigt zeitliche Instabilität. Davon ausgehend wird der Einfluss von Luftbestandteilen und der Temperatur auf die Nanodraht Oberfläche untersucht. Unter intensivem UV-Licht zersetzt sich das Material in Wasser, wobei die a- beständiger als die m-Facette ist. Dies wird benutzt, um stabile Nanogitter herzustellen. Es werden In/Ga-Zn-O-N Schichten via MBE-Wachstum hergestellt und die Position der Bandkanten, die Größe der optischen Bandlücke, die elektrischen und elektrochemischen Eigenschaften der Materialien werden untersucht.