Auswirkungen der Kontaktierung von isotropen und anisotropen Materialien auf die elektromagnetische Schirmdämpfung von Gehäusen
von Michael Kühnhttps://cuvillier. de/de/shop/publications/8872-auswirkungen-der-kontaktierung-von-isotropen-und-anisotropen-materialien-auf-die-elektromagnetische-schirmdampfung-von-gehausen
Im Zuge der Elektrifizierung des Antriebsstrangs im Automobilbereich wird die Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) mit neuen Herausforderungen konfrontiert. Diese Herausforderungen umfassen beispielsweise die vollständige Schirmung des gesamten HV-Systems wie der HV-Batterie, der elektrischen Maschine und der Leistungselektronik. Die vorliegende Arbeit befasst sich daher mit der elektromagnetischen Schirmdämpfung auf Material- und Gehäuseebene für isotrope und anisotrope Werkstoffe. Es werden Messverfahren, analytische Modelle sowie numerische Verfahren für den spezifischen Anwendungsfall analysiert und optimiert bzw. angepasst. Auf Gehäuseebene wird speziell der Einfluss der Kontaktierung durch die charakteristischen Parameter, wie den Abstand oder die Anzahl der Kontaktierungspunkte im Impedanz- und Schirmdämpfungsspektrum, nachgewiesen und diskutiert.
Im Zuge der Elektrifizierung des Antriebsstrangs im Automobilbereich wird die Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) mit neuen Herausforderungen konfrontiert. Diese Herausforderungen umfassen beispielsweise die vollständige Schirmung des gesamten HV-Systems wie der HV-Batterie, der elektrischen Maschine und der Leistungselektronik. Die vorliegende Arbeit befasst sich daher mit der elektromagnetischen Schirmdämpfung auf Material- und Gehäuseebene für isotrope und anisotrope Werkstoffe. Es werden Messverfahren, analytische Modelle sowie numerische Verfahren für den spezifischen Anwendungsfall analysiert und optimiert bzw. angepasst. Auf Gehäuseebene wird speziell der Einfluss der Kontaktierung durch die charakteristischen Parameter, wie den Abstand oder die Anzahl der Kontaktierungspunkte im Impedanz- und Schirmdämpfungsspektrum, nachgewiesen und diskutiert.