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Einführung in die Halbleiterphysik
von Helmut A. MüserInhaltsverzeichnis
- Kap. 1. Der idealisierte Halbleiter.
- 1.0 Allgemeines.
- 1.1 Das freie Elektron.
- 1.2 Das Elektron im Potentialtopf.
- 1.3 Das Elektron im periodischen Potential.
- 1.4 Die Besetzung der Elektronenzustände.
- 1.5 Die Besetzung der obersten Energiebänder; Fermi — Statistik.
- Kap. 2. Der Halbleiter mit Störstellen.
- 2.0 Allgemeines.
- 2.1 Störungen im regelmäßigen Kristallbau.
- 2.2 Der Störhalbleiter im Bändermodell.
- 2.3 Elektron und Störstelle als Partner einer quasichemischen Reaktion.
- 2.4 Die wichtigsten Störstellenarten.
- Kap. 3. Der Halbleiter unter der Wirkung elektromagnetischer Felder und dem Einfluß der Temperatur.
- 3.0 Allgemeines.
- 3.1 Geschwindigkeit und Beschleunigung des Elektrons.
- 3.2 Die korpuskularen Eigenschaften des Elektrons und des Defektelektrons.
- 3.3 Das Elektron unter der gleichzeitigen Wirkung eines elektrischen und eines magnetischen Feldes.
- 3.4 Der Einfluß der Temperatur auf die Halbleitereigenschaften.
- Kap. 4. Die Halbleiteroberfläche.
- 4.0 Allgemeines.
- 4.1 Die freie Oberfläche.
- 4.2 Der Kontakt zwischen zwei Elektronenleitern.
- Kap. 5. Der Halbleiter mit gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht.
- 5.0 Allgemeines.
- 5.1 Die p-n-Grenze.
- 5.2 Die Thermospannung.
- 5.3 Der innere Photoeffekt.
- 5.4 Die Oberfläche bei gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht.
- Kap. 6. Die Messung der Halbleiterkonstanten.
- 6.0 Allgemeines.
- 6.1 Der Bandabstand.
- 6.2 Konzentration und energetische Lage von Störstellen.
- 6.3 Die Beweglichkeit.
- 6.4 Bestimmung der Scheinmasse.
- 6.5 Die charakteristischen Zeiten.
- 6.6 Die Diffusionslänge.
- Literatur.