Reihe FBI Optimization of broad-area GaAs diode lasers for high powers and high efficiencies in the temperature range 200-220 K Frevert CarloCuvillier VerlagBuch2019 Materialaspekte der Hydridgasphasenepitaxie von Aluminiumgalliumnitrid Simon FleischmannCuvillier VerlagBuch2019 Hocheffiziente frequenzagile Mikrowellen-Leistungsverstärker auf Basis von Verbindungshalbleitern und Ferroelektrika Sebastian PreisCuvillier VerlagBuch2019 Development and characterisation of a diode laser based tunable high-power MOPA system Mahmoud TawfieqCuvillier VerlagBuch2019 GaAs-based components for photonic integrated circuits (Band 50) Bassem ArarCuvillier VerlagBuch2019 Wideband GaN Microwave Power Amplifiers with Class-G Supply Modulation Nikolai WolffCuvillier VerlagBuch201944,90 € Entwicklung von optisch pumpbaren UVC-Lasern auf AIGaN-Basis (Band 47) Jörg JeschkeCuvillier VerlagBuch2019 GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements Peng LuoCuvillier VerlagBuch2019