Reihe Science for Systems

Konzeption und Charakterisierung von Rippenwellenleiterlasern auf Si-Substrat basierend auf dem gitterangepassten Ga(NAs

AlGaN/GaN-based millimeter-wave high electron mobility transistors.

Ternäre und quaternäre Barrierenmaterialien für nitridische Heterostruktur-Feldeffekttransistoren.

Metal organic chemical vapor deposition of indium oxide for ozone sensing.

Effizienz von GaInN-Leuchtdioden: Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte.